时间：2025/9/3 20:09:14
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H8BCS0SI0MAP-56M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能DRAM芯片，属于移动LPDDR4 SDRAM类别，适用于需要高带宽和低功耗的移动设备和嵌入式系统。
类型：DRAM
型号：H8BCS0SI0MAP-56M
规格：4GBit LPDDR4 SDRAM
封装：BGA
时钟频率：1600MHz
电压：1.1V
接口：单数据速率
数据速率：3200Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
H8BCS0SI0MAP-56M是一款低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器（LPDDR4 SDRAM），具备高性能和低功耗的特点，非常适合移动设备和便携式电子产品。
该器件支持1600MHz的时钟频率，数据传输速率高达3200Mbps，提供高效的内存带宽，满足高性能处理器的需求。
其工作电压为1.1V，显著降低了功耗，延长了设备的电池续航时间，同时支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，进一步优化能效。
该芯片采用紧凑的BGA封装形式，具有良好的散热性能和可靠性，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对空间和功耗敏感的应用场景。
H8BCS0SI0MAP-56M还支持多种温度等级，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境条件下的应用。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、车载信息娱乐系统、智能穿戴设备、嵌入式系统等需要高性能和低功耗内存的设备中。其高带宽和低功耗特性使其成为现代移动计算平台的理想选择。
H8BCS0SD0MSP-56M, H8BCS0SC0MCP-56M, H8BCS0SB0MFP-56M
