CKC21X823KWGAC7800是一款高性能的存储器芯片,属于静态随机存取存储器(SRAM)系列。它具有高可靠性和低功耗的特点,广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子等领域。
该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,确保了其在高速运行下的稳定性和数据完整性。同时,它的封装形式紧凑,适合于对空间要求严格的系统设计。
容量:2Mbit
位组织:262144 x 8
工作电压:2.5V - 3.6V
接口类型:并行
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TQFP
引脚数:44
CKC21X823KWGAC7800的主要特性包括:
1. 高速读写能力:该芯片具备快速的数据访问能力,访问时间仅为10ns,能够满足实时性要求较高的应用需求。
2. 稳定性强:即使在恶劣的工作环境下,例如高温或低温条件下,依然可以保持良好的性能表现。
3. 低功耗设计:通过优化电路结构,降低了待机功耗和动态功耗,从而延长了电池供电设备的使用寿命。
4. 数据保护功能:内置了多种数据保护机制,如奇偶校验等,确保数据的安全性和准确性。
5. 易用性强:支持标准的并行接口协议,简化了与主控单元之间的连接和通信过程。
CKC21X823KWGAC7800适用于以下场景:
1. 工业自动化设备中的数据缓存模块,用于暂存关键操作数据。
2. 通信基站中的临时存储单元,提供高效的缓冲功能。
3. 医疗设备中的监测数据存储部分,保证重要信息不会丢失。
4. 消费类电子产品,如数码相机、游戏机等需要快速响应的场合。
CY62256LV-10LL, IS61LV25616AL-10B