时间：2025/9/1 11:57:45
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H8BCS0QG0ABR-46M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款IC属于高密度存储解决方案，广泛用于需要大容量内存的电子设备中，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。该器件具有较高的数据存取速度，支持高效能应用需求。
制造商: SK hynix
类型: DRAM
容量: 256Mbit
组织结构: x16
电压供电: 1.8V
访问时间: 4.6ns
封装类型: TSOP
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
引脚数: 54
H8BCS0QG0ABR-46M IC具有多项高性能特性，使其适用于各种高要求的电子系统。其高速访问时间为4.6ns，使得数据处理速度得以提升，满足实时应用的需求。芯片采用1.8V低电压供电设计，不仅降低了功耗，还提高了系统的能效比，非常适合对能耗敏感的应用场景。
此外，该IC采用x16的数据宽度配置，适用于需要高数据吞吐量的系统。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具备良好的热稳定性和电气性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为工业级标准-40°C至+85°C，确保了在恶劣环境下依然稳定运行。
H8BCS0QG0ABR-46M DRAM IC广泛应用于需要高性能与低功耗的设备中。典型应用包括但不限于工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器与交换机、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）、图像处理模块以及各种便携式电子产品。由于其宽温特性和高可靠性，该器件也适合在工业自动化、通信基础设施和汽车电子系统中使用。
H8BCS0QG0AMR-46M, H8BCS0QG0ASR-46M
