类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.35Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

IXGH16N60TB 具备一系列优良的电气和热性能，适用于高要求的电力电子应用。该器件的最大漏源电压达到 600V，使其适用于高电压系统，例如开关电源和变频器。其最大连续漏极电流为 16A，能够支持较高功率的负载切换。导通电阻典型值为 0.35Ω，确保在运行时较低的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 提供 ±20V 的栅源电压耐受能力，确保在复杂工作环境下栅极控制的稳定性。
　　在热性能方面，IXGH16N60TB 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够有效散发运行过程中产生的热量，提高器件的可靠性。其最大功率耗散为 200W，适合高功率密度设计。该器件的温度范围从 -55°C 到 +150°C，能够在严苛环境条件下稳定运行。此外，该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频操作的电路设计。其高雪崩耐量和抗短路能力也增强了其在工业环境中的适用性。

IXGH16N60TB 主要用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统。典型应用包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。在电机控制应用中，该器件可用于高效能的 PWM（脉宽调制）控制电路中，实现对电机转速和扭矩的精确调节。在电源系统中，该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，以提高转换效率。由于其高耐压和低导通电阻特性，IXGH16N60TB 在高功率电源转换系统中表现出色。此外，它也适用于感应加热、电焊设备以及智能电网设备中的高电压控制和调节模块。

IXGH16N60C2D1, STW15NK60Z, FGL40N60SMD