H8050Q 时间：2025/8/13 7:49:07 阅读：27

H8050Q 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高电流负载的开关控制场合。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于高频开关应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极连续电流（Id）：8A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（最大0.85Ω）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

H8050Q 具备优异的导通特性和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）特性可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热能力，适用于中高功率应用场景。此外，H8050Q 的高栅极击穿电压（±20V）提供了更强的抗干扰能力和更稳定的栅极控制性能。
　　在结构上，H8050Q 采用先进的高压工艺制造，具备良好的雪崩能量承受能力，适用于需要高可靠性的工业和消费类电源系统。其快速开关特性减少了开关损耗，有助于提高电源转换效率。同时，该器件具有较低的输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg），使得驱动电路设计更为简单，适用于高频PWM控制。
　　由于其高耐压特性（500V），H8050Q 可用于AC-DC电源、马达驱动、LED驱动电源、逆变器及各种功率开关电路中。在使用过程中，需注意散热设计，确保在额定功耗范围内工作，以延长器件寿命。