MBR2045DC是一款肖特基二极管,由ON Semiconductor(安森美半导体)制造。该器件具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,非常适合用于高频整流、开关电源、逆变器以及其他功率转换应用中。
MBR2045DC采用DO-214AC(SMA)封装形式,提供高可靠性的同时也具备良好的散热性能。
最大正向电流:45A
峰值反向电压:20V
正向电压(典型值):0.43V
反向漏电流(最大值,@25℃):0.1mA
结电容:20pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
存储温度范围:-65℃至+175℃
MBR2045DC是基于肖特基势垒技术的二极管,其关键特性包括:
1. 高浪涌能力,适合于大电流应用。
2. 超低的正向导通压降,有助于提高系统效率并减少热损耗。
3. 快速恢复特性使其能够在高频条件下稳定运行。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间且易于安装。
5. 在高温环境下仍能保持优良的电气性能,扩展了其在工业及汽车领域的适用性。
6. 无铅设计符合RoHS标准,环保友好。
MBR2045DC广泛应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的整流与续流功能。
2. 用于光伏系统中的旁路保护。
3. 电池充电电路中的防止反向放电。
4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
5. 各种DC-DC转换器和逆变器的设计。
6. 电机驱动中的自由轮保护。
MBR2045FTG, MBR2045G