类型：MOS FET继电器（双向）
　　输入类型：LED
　　输入正向电压（VF）：1.25V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出类型：N沟道MOSFET×2串联
　　负载电压（最大）：60V（峰值）
　　连续负载电流（最大）：1.2A
　　导通电阻（最大）：85mΩ
　　关断状态漏电流（最大）：1μA
　　动作时间（Ton）：0.2ms（典型值）
　　释放时间（Toff）：0.2ms（典型值）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（输入-输出）：2500Vrms（1分钟）
　　封装类型：SOP-4

G3VM-61FR的核心特性之一是其基于光控MOSFET的输出结构，采用两个N沟道MOSFET背对背连接，以实现对交流或直流负载的双向控制。这种设计使得器件能够在不依赖机械触点的情况下完成开关操作，从而避免了电弧、接触反弹和氧化等问题，显著提升了系统的可靠性和使用寿命。由于没有机械运动部件，G3VM-61FR能够承受强烈的振动和冲击环境，适用于工业现场等恶劣工况。
　　另一个重要特性是其低导通电阻（Ron），典型值仅为85mΩ。这一特性意味着在大电流通过时产生的压降和功耗较小，减少了热量积累，提高了能效，并允许在有限散热条件下承载更高电流。同时，低Ron有助于保持信号完整性，特别适合用于精密模拟信号切换或电池供电设备中，最大限度地减少能量损失。
　　该器件还具备快速的开关响应能力，动作时间和释放时间均在0.2ms左右，远快于传统电磁继电器的数十毫秒级别。这使其非常适合用于高频切换应用，如自动测试设备中的通道切换、多路复用器控制以及高速数据采集系统。
　　G3VM-61FR的输入侧仅需较小的驱动电流即可点亮内部LED，通常为5mA至10mA，可直接由微处理器或逻辑门电路驱动，无需外加驱动晶体管或缓冲器，简化了外围电路设计，降低了整体成本和空间占用。此外，其高达2500Vrms的输入-输出绝缘电压确保了强电与弱电之间的安全隔离，满足多种安全标准要求，适用于医疗设备和测量仪器等对安全性要求较高的场合。

G3VM-61FR广泛应用于需要小型化、高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC模块、I/O扩展单元和传感器信号切换电路中，作为执行元件控制小型电磁阀、指示灯或报警装置。由于其无触点特性，特别适合频繁开关的应用场景，避免了传统继电器因触点磨损导致的维护问题。
　　在测试与测量设备中，G3VM-61FR可用于自动测试系统（ATE）中的多路复用开关，实现对多个待测器件的快速切换和信号路由。其低导通电阻和低漏电流保证了测量精度不受影响，而快速响应时间则提高了测试效率。
　　在通信设备中，该器件可用于线路切换、电源管理或热插拔控制，提供稳定可靠的信号通断功能。此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪或便携式诊断设备，G3VM-61FR因其高绝缘性和低电磁干扰特性而受到青睐，有助于提升设备的安全性与稳定性。
　　消费类电子产品和嵌入式系统也越来越多地采用此类光继电器替代传统电磁继电器，以实现更轻薄的设计和更高的可靠性。例如，在智能家居控制系统中，可用于灯光调节、窗帘控制或安防联动模块中。由于其SOP-4的小型封装，非常适合作为表面贴装器件用于高密度PCB布局，支持自动化生产流程。

G3VM-61GR,G3VM-41GR,G3VM-61HR