H7N0302LMTR 时间：2025/9/7 15:28:50 阅读：5

H7N0302LMTR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效率和高性能的电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：100 A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3 mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：120 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：LFPAK56（Power-SO8 兼容）

特性

H7N0302LMTR 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中具有极低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，优化了电流密度并减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。
　　该器件具有良好的热稳定性，得益于其优化的封装设计，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB 或散热器，从而提高长期运行的可靠性。
　　H7N0302LMTR 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压冲击条件下保持稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 栅极驱动电路，兼容多种控制器和驱动器IC。

应用

H7N0302LMTR 常用于各种功率电子系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，该器件用于高效电源转换和负载管理。
　　在新能源汽车领域，如车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于实现高效率和高可靠性的功率控制。
　　此外，H7N0302LMTR 还适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统和功率因数校正（PFC）电路等场景。