WSD520D 时间：2025/8/5 1:03:29 阅读：19

WSD520D 是一款由无锡芯导电子科技股份有限公司（CoreTech）推出的高性能双N沟道增强型MOSFET器件，适用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点。WSD520D通常封装在DFN3x3或DFN5x6等小型无铅封装中，适合用于对空间和热性能有较高要求的电子设备。

参数

类型：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A（单通道）
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3、DFN5x6

特性

WSD520D具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其双N沟道MOSFET设计使得该器件适用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器等多种应用场景。此外，WSD520D采用了先进的沟槽式工艺，提供较高的电流承载能力和稳定性，同时具备良好的热性能，确保在高负载工作条件下的可靠性。
　　该器件还具备良好的抗静电能力和过温保护特性，增强了器件在恶劣工作环境中的耐用性。WSD520D的小型封装形式有助于节省PCB空间，适用于便携式设备和高密度电子产品中的应用。此外，其快速开关特性使得该器件能够满足高频应用的需求，如电源管理单元和电池供电设备中的开关控制。
　　WSD520D的栅极驱动电压范围适中，可在4.5V至12V之间工作，适用于多种驱动电路设计。该器件的高集成度和优异性能使其成为各类中低功率电子系统中的理想选择。