类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　极性：双向
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：7V
　　击穿电压（VBR）：8.3V（最大值）
　　钳位电压（VC）：14.4V（典型值，IPP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　电容值（C）：15pF（典型值，f=1MHz）
　　反向漏电流（IR）：1μA（最大值，VR=7V）
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　符合标准：IEC 61000-4-2（ESD） Level 4 ±15kV air, ±8kV contact
　　RoHS状态：符合RoHS

H7ET-N-B的核心特性之一是其低动态电阻与快速响应能力，使其在遭遇瞬态过压事件时能够在皮秒级时间内迅速导通，将有害能量泄放到地，从而保护后端敏感电路不受损害。这种高效的保护机制得益于其内部采用的雪崩击穿原理，在正常工作状态下呈现极高阻抗，几乎不影响原始信号传输；一旦检测到超过阈值的电压突增，器件立即切换至低阻态，形成安全的能量泄放路径。这一过程不仅反应迅速，而且可重复数千次而不发生性能退化，展现出卓越的耐用性与稳定性。
　　另一个关键优势在于其极低的结电容（典型值仅为15pF），这对于高速数字接口尤为重要。在USB 2.0、HDMI、SD卡插槽、触摸屏控制器等高频信号通道中，过高的寄生电容会导致信号失真、上升/下降时间延长甚至通信失败。H7ET-N-B凭借其优化的结构设计，最大限度地减少了对原始信号完整性的干扰，确保数据传输速率不受影响，同时仍能提供强大的ESD防护能力。此外，该器件支持双向保护模式，适用于交流耦合或双极性信号线路，如音频线路、差分对等场景。
　　热稳定性方面，H7ET-N-B具备优异的功率耗散能力和高温工作适应性。其内部PN结设计结合高质量封装材料，可在短时间内承受高达1A的峰值脉冲电流，并通过PCB走线有效散热，避免局部过热引发故障。器件在整个工业级温度范围内（-55°C至+150°C）均能保持一致的电气特性，适用于汽车电子、户外通信设备等严苛应用环境。此外，SOT-23-6的小型化封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率与良率。综合来看，H7ET-N-B是一款兼顾高性能、小体积与高可靠性的ESD保护解决方案，特别适合用于高密度集成电子产品中的关键信号节点防护。

H7ET-N-B主要应用于各类需要高等级静电放电保护的电子系统中，尤其是在便携式消费类设备领域表现突出。例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表、健康监测仪）等人机交互频繁的产品，常常暴露于人体接触带来的静电风险之下，因此在USB Type-A/B/C接口、耳机插孔、显示屏FPC连接器、按键开关等位置部署H7ET-N-B可显著提升整机的抗扰度与使用寿命。此外，在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、NFC天线前端）中，该器件也能有效抑制来自天线耦合的瞬态干扰，保障射频信号质量。
　　在工业控制与自动化系统中，H7ET-N-B可用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等通信接口，防止因现场环境中电机启停、继电器切换或雷击感应引起的电压尖峰造成MCU或收发器损坏。同样，在医疗电子设备（如便携式监护仪、超声探头接口）中，为了满足严格的电磁兼容（EMC）认证要求，H7ET-N-B被广泛用于信号输入/输出端口的前端保护，以确保患者安全与设备运行的连续性。
　　汽车电子领域也是其重要应用方向之一，特别是在车载信息娱乐系统（IVI）、导航面板、倒车摄像头接口等非动力域电路上，H7ET-N-B能够应对车辆启动瞬间的电源波动以及乘客进出车厢时产生的静电放电。此外，智能家居产品（如智能音箱、安防摄像头、温控面板）中的传感器接口、触摸按键、网络接口同样适用该器件进行ESD防护。总而言之，任何存在高速信号传输且面临外部静电威胁的应用场景，都是H7ET-N-B的理想用武之地。

RCLAMP0524P
　　SP1205-04UTG
　　SRV05-4
　　TPD1E10B06