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GA1206Y821KXCBT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:03:16 查看 阅读:17

GA1206Y821KXCBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为TO-252,适合表面贴装,便于自动化生产和散热管理。此外,该芯片还具备良好的热稳定性和电气性能,在多种工业及消费类电子应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:30A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=12ns, toff=35ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206Y821KXCBT31G的核心优势在于其低导通电阻设计,这有助于显著减少传导损耗,尤其是在大电流应用场景下表现突出。
  同时,该芯片具备快速的开关速度,可支持高频操作,从而减小外部元件体积并优化整体电路布局。
  另外,其出色的热性能和可靠性使其能够在极端环境条件下长期稳定运行,非常适合对效率和耐用性要求较高的应用场合。

应用

这款芯片广泛应用于开关电源适配器、电池充电器、LED驱动器以及各种需要高效功率转换的电子设备中。
  在工业领域,它可用于伺服驱动、逆变器和不间断电源(UPS)等产品;而在消费类电子产品方面,则常见于笔记本电脑电源、智能家居设备和手持终端等领域。
  此外,由于其紧凑的封装形式和优异的性能指标,也逐渐成为汽车电子市场中的热门选择之一。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP15U60A
  AOD498
  AO3400A

GA1206Y821KXCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-