时间：2025/6/19 19:00:34
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TMK063CG221JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该芯片采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
TMK063CG221JT-F 的设计使其在高温环境下仍能保持稳定的性能，同时具有良好的短路耐受能力和抗干扰能力。这些特点使得它成为高效率、高可靠性应用的理想选择。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：22A
导通电阻：0.028Ω
栅极电荷：79nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
TMK063CG221JT-F 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（650V），适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（0.028Ω），可减少功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提高工作效率。
4. 大电流承载能力（22A），适合需要高电流输出的应用。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），保证了在极端环境下的稳定性。
6. 内置ESD保护电路，增强了器件的可靠性。
7. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
总体而言，这款MOSFET以其卓越的电气特性和坚固的结构设计，非常适合于各类高功率密度电力电子设备中使用。
TMK063CG221JT-F 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的逆变桥臂组件。
3. DC-DC转换器和升压/降压变换器的核心功率元件。
4. UPS不间断电源系统中的功率开关。
5. 工业自动化设备中的负载控制开关。
6. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车控制器中的功率模块。
由于其出色的性能指标和广泛的工作条件适应性，TMK063CG221JT-F 成为了许多高要求工业和消费类电子产品设计中的首选器件。
TMK063CG221JTF-R, TMK063CG221JTA-F, IRFP460, STP22NF65
