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PE35400A-G 发布时间 时间:2025/9/16 15:08:25 查看 阅读:18

PE35400A-G是一款由Peregrine Semiconductor(现为Murata Manufacturing子公司)设计和制造的射频(RF)开关芯片。这款芯片属于Peregrine的UltraCMOS产品系列,采用先进的硅基CMOS工艺技术,具有高性能和低功耗的特点。PE35400A-G是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,主要用于无线通信系统中的射频信号路由和切换操作。该器件支持宽频率范围,适用于多种射频应用,包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、GNSS和其他无线基础设施。

参数

类型:射频开关
  开关配置:SPDT(单刀双掷)
  工作频率:0.01 GHz 至 3.0 GHz
  插入损耗:典型值0.3 dB(频率范围中间段)
  隔离度:典型值40 dB @ 1 GHz
  VSWR(输入/输出):典型值1.2:1
  控制电压:1.8V至3.3V兼容
  供电电压:2.7V至5.5V
  封装类型:TDFN(4x4 mm)
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

PE35400A-G射频开关具有多个显著的性能特点。首先,它支持宽频率范围,从10 MHz到3 GHz,使其适用于多种射频通信标准和协议。这使得该芯片可以在蜂窝通信(如2G/3G/4G)、无线局域网(Wi-Fi)、蓝牙、GPS和其他射频前端模块中广泛应用。
  其次,该芯片具有低插入损耗和高隔离度的特性,典型插入损耗在1 GHz频率下为0.3 dB,而隔离度则高达40 dB。这种性能组合可以有效减少信号衰减并防止信号串扰,提高整体系统性能。
  此外,PE35400A-G采用高集成度的UltraCMOS工艺制造,具备良好的线性度和功率处理能力,能够承受高达+30 dBm的输入功率(在常温下)。这使得该芯片在高功率射频切换应用中表现优异,如天线切换或多路复用器控制。
  该芯片还支持1.8V至3.3V的控制电压,供电电压范围为2.7V至5.5V,具有良好的兼容性和灵活性,适用于多种电源设计。其TDFN 4x4 mm封装形式支持表面贴装,适合现代高密度PCB布局,并且符合RoHS环保标准。
  最后,该芯片具有快速切换时间(通常小于1 μs),适合需要快速响应的应用场景,例如动态频率切换或多模式通信系统。

应用

PE35400A-G广泛应用于各类射频通信系统和模块中,尤其是在需要高性能射频开关的场合。常见的应用包括蜂窝基站和终端设备(如智能手机、平板电脑)、Wi-Fi接入点和客户端设备、蓝牙低功耗(BLE)模块、GNSS接收机(如GPS、GLONASS、Galileo)以及无线传感器网络设备。
  在蜂窝通信中,该芯片可用于天线切换、频段选择和射频路径管理,确保在不同网络模式下实现最佳信号质量和连接稳定性。
  在Wi-Fi和蓝牙应用中,PE35400A-G可用于射频前端模块(FEM)中的信号路由控制,提高无线连接的灵活性和可靠性。
  此外,该芯片也适用于测试设备、射频自动测试设备(ATE)和工业控制系统中的射频信号切换,支持多种射频测试和测量应用。

替代型号

PE35402F20, HMC649ALC4B, SKY13350-375LF

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