H75B80-V 时间：2025/8/23 1:30:52 阅读：4

H75B80-V 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力的特点，适合在高效率电源系统中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：75A
　　最大漏源电压：80V
　　导通电阻 Rds(on)：1.75mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　功率耗散：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

H75B80-V 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，从而降低了开关损耗。
　　此外，H75B80-V 提供了较高的耐压能力和电流承载能力，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 的 TO-247 封装形式具有良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。
　　其高栅极耐压能力（±20V）使其适用于多种栅极驱动电路，并提供更高的可靠性。此外，H75B80-V 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。
　　在短路和过载条件下，该器件表现出良好的抗冲击能力，增强了系统的安全性。其快速恢复体二极管也适用于需要高效率整流的应用。

应用

H75B80-V 主要用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具、工业电机驱动、逆变器和UPS（不间断电源）系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于高效率和高功率密度的电源设计。
　　在汽车电子应用中，H75B80-V 也可用于车载充电器、电驱系统和能量回收系统。同时，它在太阳能逆变器、储能系统和工业自动化设备中也具有广泛的应用前景。
　　此外，该 MOSFET 可用于负载开关、热插拔电源管理以及高频率功率转换拓扑结构，如同步整流器和ZVS（零电压开关）/ZCS（零电流开关）拓扑。