LUMB240 时间：2025/8/14 0:05:17 阅读：31

LUMB240 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，能够在高电流负载下稳定工作。LUMB240通常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

LUMB240具有多个显著的技术特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为5.8毫欧姆（典型值），这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，从而提升了器件的击穿电压稳定性和开关性能。
　　LUMB240的最大漏极电流为120A，在30V的漏源电压下能够可靠运行，适用于中高功率的电源系统。
　　此外，LUMB240的封装形式为PowerFLAT 5x6，这是一种低热阻、高散热效率的表面贴装封装，有助于提高器件在高温环境下的稳定性，并支持自动化生产。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，具有良好的温度适应能力，适用于各种工业级和汽车级应用场景。
　　栅源电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时保证了栅极驱动的稳定性。

应用

LUMB240广泛应用于多个电力电子领域。在DC-DC转换器中，由于其低Rds(on)和高电流承载能力，非常适合用于同步整流拓扑，以提高转换效率。
　　在电池管理系统（BMS）中，LUMB240可用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全运行。
　　此外，该器件也适用于负载开关电路，例如用于控制电源的开启与关闭，提供快速响应和低损耗的开关性能。
　　在服务器电源、通信电源、电机驱动器以及工业自动化设备中，LUMB240也常用于功率开关和电流控制单元。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，LUMB240也非常适合空间受限但要求高性能的便携式电子设备电源模块。