时间：2025/9/7 4:43:45
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H6417709F80B 是一种由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和数据存储应用设计。该芯片属于高速DRAM系列，具有较大的存储容量和较低的延迟，适用于计算机内存、服务器、网络设备以及嵌入式系统等场景。该型号采用标准的TSOP（薄型小外形封装）封装形式，便于在各种主板和模块设计中使用。
容量：64MB
组织方式：x16
电压：3.3V
访问时间：80ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：0°C至70°C
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
H6417709F80B具有多项优良特性，包括高速访问时间（80ns），适合需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时，有效降低功耗，适合嵌入式设备和便携式电子产品使用。其3.3V电压设计使其兼容主流逻辑电平，简化了电源管理电路的设计。此外，该芯片具备64ms的自动刷新周期，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，减少刷新操作带来的性能损耗。
TSOP封装技术的应用不仅减小了芯片的物理尺寸，还提高了封装密度，使其适用于高密度内存模块的制造。此外，该芯片支持标准的异步控制信号，便于与多种控制器和主芯片进行连接。H6417709F80B在设计上采用了高可靠性的制造工艺，确保在各种环境条件下稳定运行，满足工业级和商业级应用的需求。
H6417709F80B广泛应用于各种需要中等容量高速存储的电子设备中。常见的应用场景包括个人计算机的内存模块、工业控制设备、网络交换机和路由器、视频采集和处理设备，以及嵌入式系统中的缓存存储器。由于其低功耗和良好的稳定性，该芯片也常用于便携式设备如手持终端、医疗仪器和测量设备中，作为主存储器或缓存单元使用。此外，该芯片还可用于老款游戏机、工控主板以及早期服务器系统中，提供稳定可靠的内存支持。
HY6416800FPG6A、KM681000FJ-80、CY7C199-80VC、IS64LV1016-80BLL
