时间：2025/9/2 3:53:35
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H5TS5163MFR-11C 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于移动型LPDDR3 SDRAM类别。这款芯片专为低功耗应用设计，广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及需要高效能与低能耗平衡的电子产品中。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具备良好的散热性能和空间利用率。
类型：LPDDR3 SDRAM
容量：512MB
数据宽度：16位
电压：1.2V - 1.8V（I/O电压可调）
时钟频率：高达800MHz
封装类型：FBGA
封装尺寸：98-ball FBGA
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TS5163MFR-11C 的主要特性包括低功耗设计，适用于电池供电设备，能够在高性能模式和低功耗模式之间切换，以优化能效。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电或待机状态下仍能保持稳定。其多段式架构允许同时执行多个操作，提升整体系统效率。此外，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备较高的稳定性和可靠性，适用于工业级和消费级应用场景。
该DRAM模块还支持温度补偿自刷新（Temperature-Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，可以根据环境温度自动调整刷新率，从而减少功耗。H5TS5163MFR-11C 支持多种突发模式（Burst Mode），如突发长度为4和8的模式，提供灵活的数据传输选项。此外，该芯片具有良好的信号完整性设计，支持高速数据传输并降低信号干扰，确保数据读写稳定可靠。
该芯片主要应用于对功耗敏感的便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、M2M（Machine to Machine）通信模块、工业控制设备、网络设备以及嵌入式系统。在这些应用中，H5TS5163MFR-11C 可作为主存储器或缓存存储器，用于临时存储运行中的程序和数据，提供快速的读写访问能力。此外，由于其具备工业级温度范围和良好的稳定性，该芯片也适用于需要在恶劣环境下运行的工业控制系统和车载电子设备。
H5TQ1G63BFR-H9C, H5PS5162GFR-11C, H5TQ2G63BFR-11C
