时间：2025/4/30 16:21:06
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NSS40200LT1G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关和其他需要高效开关性能的电路中。该器件采用TO-263封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于高频开关应用。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：7.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC（典型值）
总电容：1420pF（输入电容）
功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
NSS40200LT1G具备低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
其快速开关能力能够支持高频操作，适用于开关电源、DC-DC转换器等场景。
高雪崩能量能力和强鲁棒性使其能够在严苛环境下可靠运行。
优化的热性能设计允许在高温条件下稳定工作。
该产品符合RoHS标准，环保且可靠性高。
NSS40200LT1G主要应用于消费电子、工业控制和汽车领域中的多种场合，例如：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 电机驱动和电池保护电路。
4. 负载开关和高端开关。
5. 电信设备中的电源管理模块。
IRFZ44N
STP16NF10
FDP16N10S
IXTH18N10L2
