时间：2025/8/19 14:03:42
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NB650DL-LF-Z是一款由ON Semiconductor生产的高效能、低电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等。NB650DL-LF-Z采用先进的Trench沟槽技术，以实现低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。此外，该器件为无铅封装，符合RoHS环保标准。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：140A（在25°C）
RDS(on)（最大值）：3.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
NB650DL-LF-Z具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。其先进的沟槽技术还提供了卓越的开关性能，降低了开关损耗，适用于高频操作。该MOSFET的封装设计优化了热管理，确保在高功率密度环境下仍能保持稳定运行。
此外，NB650DL-LF-Z具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极氧化层设计可承受较高的电压应力，从而提高器件的稳定性和寿命。该器件还具备快速恢复二极管特性，有助于减少反向恢复损耗，提高系统整体性能。
在应用方面，NB650DL-LF-Z适用于各种高功率和高频应用，如同步整流、负载开关、马达驱动、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器等。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业、汽车和消费类电子设备中的理想选择。
NB650DL-LF-Z广泛应用于高效率电源转换系统，如服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、LED照明电源以及汽车电子系统等。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的场合。
SiR142DP-T1-GE3, FDD1420, FDS6680
