H5TQ8G83MMR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较高的数据传输速率和稳定性,适用于对内存性能要求较高的应用场景,如服务器、高性能计算、网络设备和高端PC等。该型号的内存容量为8Gb(Gigabit),采用LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)技术,具备低功耗、高速度的特点。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:BGA
工作电压:1.1V
数据速率:3200Mbps
数据宽度:8位
温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:8mm x 10mm
JEDEC标准:兼容
H5TQ8G83MMR-H9C 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM芯片,采用了先进的DRAM制造技术,具有出色的性能和稳定性。其主要特性包括:
1. **大容量存储**:单颗芯片的存储容量为8Gb,适用于需要大内存带宽的应用场景,如图形处理、视频编码/解码、AI加速等。
2. **高速数据传输**:支持高达3200Mbps的数据传输速率,提供快速的数据存取能力,显著提升系统整体性能。
3. **低功耗设计**:运行电压为1.1V,相比上一代LPDDR3,功耗更低,有助于延长设备的电池寿命,尤其适用于移动设备和嵌入式系统。
4. **紧凑封装**:采用小型BGA封装(8mm x 10mm),节省PCB空间,便于高密度布局,适合轻薄设备的设计需求。
5. **宽温范围**:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件,适用于工业级和汽车级应用。
6. **JEDEC兼容性**:符合JEDEC标准,确保与主流平台和控制器的兼容性,降低系统集成的复杂性。
7. **高效散热**:封装设计优化了散热性能,保证在高负载下仍能保持稳定运行,提升设备的可靠性。
H5TQ8G83MMR-H9C LPDDR4内存芯片广泛应用于对性能和功耗有较高要求的电子设备中。其主要应用领域包括:
1. **移动设备**:如智能手机、平板电脑等,提供高速内存支持,提升应用启动速度和多任务处理能力。
2. **嵌入式系统**:用于工业控制、智能终端、医疗设备等嵌入式系统中,提供稳定、高效的内存解决方案。
3. **网络设备**:如路由器、交换机等,用于高速缓存和数据转发,提升网络性能。
4. **消费类电子产品**:如智能电视、游戏机、可穿戴设备等,提供流畅的多媒体体验和低功耗运行。
5. **汽车电子**:适用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车电子应用,满足高温和高可靠性要求。
6. **服务器与数据中心**:在服务器和数据中心中用于临时存储和处理大量数据,提升计算性能和响应速度。
H5TQ8G83MFR-H9C, H5TC8G63AFR-H9C, H9HP53A8JMDAR-NEC