MIC38HC45 是由 Microchip Technology 推出的一款高性能、双通道、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器集成电路,广泛用于电源转换和电机控制应用。该芯片设计用于驱动高边 N 沟道 MOSFET,具备快速开关能力、高驱动能力和出色的抗干扰性能,适用于各种 DC-DC 转换器、同步整流器和高边负载开关等电路。MIC38HC45 采用双通道架构,可独立控制两个高边 MOSFET,具备宽输入电压范围和灵活的控制方式。
类型:高边 N 沟道 MOSFET 驱动器
通道数:2
输入电压范围:8V 至 18V
驱动电压输出:最高可达 18V
峰值驱动电流:1.2A(典型值)
工作频率:高达 1MHz
传播延迟:约 60ns(典型值)
静态电流:约 150μA
封装类型:16引脚 SOIC、TSSOP
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
MIC38HC45 是一款专为高效率电源转换设计的高边 MOSFET 驱动器,其核心特性之一是具备高驱动电流能力,能够快速驱动大功率 N 沟道 MOSFET,从而减少开关损耗并提高系统效率。该器件采用自举电路技术,能够提供高于输入电压的栅极驱动电压,确保高边 MOSFET 完全导通。此外,MIC38HC45 支持高频操作,适用于高频开关电源和同步整流器等应用。
另一个显著优势是其出色的抗干扰能力。MIC38HC45 内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时,驱动器将自动关闭输出,以防止 MOSFET 在不安全电压下工作,从而提高系统的稳定性和可靠性。该芯片还具有短路和过热保护功能,能够在异常情况下有效保护 MOSFET 和驱动器本身。
MIC38HC45 的双通道架构允许独立控制两个高边 MOSFET,使其在同步整流、H 桥驱动和双路 DC-DC 转换器中表现出色。每个通道都具有独立的使能控制引脚,用户可以根据需要单独控制每个 MOSFET 的导通和关断,从而实现更灵活的系统设计。此外,MIC38HC45 的封装设计紧凑,适合高密度 PCB 布局,广泛应用于通信电源、工业电源、电机控制和汽车电子等领域。
MIC38HC45 适用于多种高功率电源转换和控制应用,包括同步整流型 DC-DC 转换器、高边负载开关、H 桥电机驱动器、电信和服务器电源、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其高频操作能力和高驱动电流特性,该芯片特别适合需要高效率和高性能的电源设计。
MIC5021, IR2110, LM5112, TC4420