H5TQ4G63MFR-H9C 时间：2025/9/2 11:09:39 阅读：10

H5TQ4G63MFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的移动存储解决方案之一。这款芯片被广泛应用于智能手机、平板电脑以及其他对内存性能和容量有较高要求的便携式电子设备中。H5TQ4G63MFR-H9C 是一款LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）内存芯片，具备低功耗、高带宽和小尺寸等优势，非常适合现代移动设备的内存需求。

参数

容量：4GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：151
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD），1.1V（I/O电压VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps（Mbps，每秒百万比特）
　　位宽：x64
　　时钟频率：1600MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H5TQ4G63MFR-H9C 采用先进的LPDDR4技术，提供更高的数据传输率和更低的功耗，适合移动设备长时间运行的需求。该芯片采用了双通道架构，每个通道可以独立进行数据读写操作，从而提高整体内存带宽。其x64位宽设计允许在单个时钟周期内传输更多数据，提升设备性能。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括预充电、自刷新和深度掉电模式，有助于延长移动设备的电池寿命。
　　该DRAM芯片采用先进的制造工艺，确保在高密度存储的同时仍能保持良好的稳定性和可靠性。其1.1V的核心和I/O电压设计，不仅降低了整体功耗，还减少了热量产生，提高了设备的热管理性能。H5TQ4G63MFR-H9C 还支持多种功能，如写入均衡（Write Leveling）、读取校准（Read Calibration）和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），以进一步优化系统性能和稳定性。
　　封装方面，该芯片采用小型化的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，适用于高密度主板设计，同时具备良好的电气性能和散热能力。其151个球栅引脚布局确保了与主板的可靠连接，并支持高频信号传输。

应用

H5TQ4G63MFR-H9C 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的便携式电子产品中。由于其高带宽、低功耗和小尺寸特性，该芯片特别适合用于运行复杂操作系统（如Android或iOS）的设备，以及需要多任务处理能力和高性能图形渲染的应用场景。此外，它也可用于车载信息娱乐系统、工业控制设备和物联网（IoT）终端等对内存性能有较高要求的领域。