H5TQ4G63EFR-RDK 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片属于低功耗DDR3(LPDDR3)系列,专为便携式设备和高性能计算应用设计,提供高速数据传输和较低的功耗。H5TQ4G63EFR-RDK 采用BGA封装形式,适合嵌入式系统、智能手机、平板电脑等设备使用。
容量:4Gb(512MB)
类型:LPDDR3 SDRAM
数据速率:1600Mbps
工作电压:1.8V / 1.5V
封装类型:BGA
引脚数:107-pin
存储架构:x32
温度范围:工业级
接口类型:并行
H5TQ4G63EFR-RDK 具有多个显著的特性,使其适用于现代电子设备。首先,该芯片支持高达1600Mbps的数据速率,确保了高速数据传输能力,满足高性能处理器和图形加速器的需求。其次,该DRAM芯片支持低功耗模式,包括自刷新模式和深度掉电模式,有助于延长移动设备的电池寿命。
此外,H5TQ4G63EFR-RDK采用先进的制造工艺,具有较高的稳定性和可靠性,适用于严苛的工业环境。其x32架构允许更宽的数据总线,减少PCB布线复杂度,提高系统的整体性能。该芯片还支持多种温度范围版本,包括商业级和工业级,以适应不同的应用场景。
封装方面,采用107-pin BGA封装,体积小巧,适合高密度PCB设计。H5TQ4G63EFR-RDK还支持多种刷新模式,确保数据完整性,并具有自动预充电和突发长度控制功能,提高内存访问效率。
H5TQ4G63EFR-RDK 广泛应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、数字电视、机顶盒、便携式游戏机以及工业控制设备。此外,该芯片也常用于需要大内存带宽的图像处理、视频编码/解码以及移动计算平台。
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