您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y333JBXAR31G

GA1210Y333JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:54:14 查看 阅读:22

GA1210Y333JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低功耗。
  该器件具有出色的热性能和电气性能,适合在高电流和高频应用场景中使用。其封装形式为行业标准,便于设计集成和散热管理。

参数

型号:GA1210Y333JBXAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):33mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y333JBXAR31G 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流条件下减少功耗。
  2. 快速开关速度支持高频应用,同时降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力使其能够在严苛的工作环境下可靠运行。
  4. 内置防静电保护功能以增强器件的耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于全球市场要求。
  该芯片还通过优化设计实现了更小的寄生电感和电容,从而进一步提升了整体性能。

应用

GA1210Y333JBXAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 中的同步整流。
  2. 电机驱动电路中的功率开关。
  3. DC-DC 转换器的核心功率元件。
  4. 电池管理系统(BMS) 中的负载切换控制。
  5. 工业自动化设备中的电源管理和驱动控制。
  由于其优异的性能,该芯片特别适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品。

替代型号

GA1210Y333JAX, IRFZ44N, FDP5802

GA1210Y333JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-