时间：2025/9/1 16:16:02
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HY27UT088G2M-TPIB 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的NAND闪存芯片，属于其NAND闪存产品系列。该芯片的存储容量为8GB，采用8位并行接口（x8），适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。这款芯片通常用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备以及固态存储解决方案中。
容量：8GB
接口类型：8位并行接口（x8）
电压范围：2.7V - 3.6V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间为2ms
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY27UT088G2M-TPIB NAND闪存芯片具有多个显著的特性。首先，其8GB的存储容量可以满足中高端嵌入式系统和消费类电子产品的存储需求。该芯片采用标准的8位并行接口，与许多主控器和控制器兼容，简化了系统设计和集成。
其次，HY27UT088G2M-TPIB的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在不同的电源条件下稳定运行，增强了系统的灵活性。其读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，适用于对数据吞吐量有一定要求的应用场景。
HY27UT088G2M-TPIB NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和消费类电子产品中。例如，它可以用于数字电视、机顶盒、智能卡读卡器、工业控制设备、数据采集系统以及固态存储设备中。该芯片的高容量、高速度和宽工作温度范围，使其在车载导航系统、安防监控设备以及工业自动化设备中也能发挥重要作用。此外，它还可以用于手持设备、数码相机和MP3播放器等便携式电子产品中，提供可靠的存储支持。
K9F8G08U0A-PCB0, NAND8GB3V3, TC58NVG1S3HTA00
