容量：4GB
　　电压：1.1V / 1.8V
　　数据速率：3200Mbps
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：120-ball
　　接口类型：LPDDR4
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　制造工艺：基于先进的DRAM工艺技术
　　时钟频率：1600MHz
　　数据总线宽度：16位

H5TQ4G43MMR具有多项先进的性能特性，首先其采用了LPDDR4标准，提供了较高的数据传输速率（最高可达3200Mbps），能够满足高性能处理器对内存带宽的需求。
　　其次，该芯片的电源电压分为核心电压（1.1V）和I/O电压（1.8V），有效降低了功耗，特别适用于电池供电的移动设备。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗节省模式，有助于进一步延长设备的电池续航时间。
　　此外，H5TQ4G43MMR具备良好的兼容性和稳定性，支持高密度数据存储和快速数据访问，适用于多任务处理环境。
　　在封装方面，H5TQ4G43MMR采用FBGA封装，具有较小的封装尺寸和较高的引脚密度，能够节省PCB（印刷电路板）空间，提高整体系统的集成度。
　　最后，该芯片支持差分时钟（Differential Clock）、数据选通（DQS）和校准机制，确保高速传输下的数据完整性与稳定性。

H5TQ4G43MMR主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及高性能嵌入式计算平台。
　　由于其高速数据传输能力和低功耗特性，该芯片特别适合与高性能应用处理器搭配使用，用于运行复杂的操作系统、多任务处理、图形渲染和多媒体播放等应用场景。
　　此外，H5TQ4G43MMR也可用于需要大容量内存缓冲的摄像头模块、网络通信设备以及边缘计算设备中，提升整体系统的响应速度和运行效率。

H5TQ4G63AMR, H5TC4G63AMR, H9HP53A8MJR, H9HP53A8MMR