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MDD56-12N1B 发布时间 时间:2025/8/6 13:01:52 查看 阅读:120

MDD56-12N1B是一款功率模块,通常用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动器、逆变器和其他需要高电流和高电压处理能力的应用。这种模块集成了多个功率半导体器件,例如MOSFET或IGBT,以提供高效的功率转换和控制。

参数

类型:功率模块
  最大电压:1200V
  最大电流:56A
  封装类型:双列直插式(DIP)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  热阻:2.5°C/W
  隔离电压:2500Vrms
  安装类型:通孔安装

特性

MDD56-12N1B功率模块具备高耐压和大电流承载能力,能够承受恶劣的工作环境。其双列直插式封装设计便于安装和散热,同时提供了良好的电气隔离。模块内部集成了多个功率器件,如IGBT或MOSFET,以实现高效的功率转换。该模块还具备良好的热性能,热阻较低,确保在高负载下也能保持稳定的工作温度。此外,MDD56-12N1B的隔离电压高达2500Vrms,使其在高压应用中具备更高的安全性。模块的工作温度范围广泛,适合在各种工业环境中使用,从寒冷的仓库到高温的生产车间都能正常运行。这些特性使得MDD56-12N1B成为高功率电子设备的理想选择。

应用

MDD56-12N1B功率模块广泛应用于工业电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机和变频器等设备中。它适用于需要高效功率转换和高可靠性的场合,例如工厂自动化系统、能源管理系统和电动车辆充电设备。在这些应用中,MDD56-12N1B能够提供稳定的功率输出,确保设备的正常运行。

替代型号

MDD56-12N1B的替代型号包括MDD56-12N2B、MDD56-12N3B和MDD56-12N4B。

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MDD56-12N1B参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.48V @ 200A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10mA @ 1200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)95A
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商设备封装TO-240AA
  • 包装散装