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28FLZT-SM1-TF(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 7:57:47 查看 阅读:8

28FLZT-SM1-TF(LF)(SN) 是一款由富士通(现为赛普拉斯半导体,已被英飞凌收购)生产的串行外设接口(SPI)闪存芯片。该器件属于其高性能、低功耗的FL-L系列串行NOR Flash产品线,专为需要可靠非易失性存储解决方案的应用而设计。该型号采用先进的浮栅技术制造,具备高耐久性和数据保持能力,适用于工业控制、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子等多种应用场景。该器件封装形式为小型化的8引脚SOIC(Small Outline Integrated Circuit),即SM1封装,符合行业标准尺寸,便于在空间受限的PCB布局中使用。此外,(LF)表示该器件为无铅(Lead-Free)环保型产品,(SN)通常代表卷带包装(Tape and Reel),适合自动化贴片生产流程。28FLZT-SM1-TF系列支持标准SPI和快速SPI模式,具备高效的指令集架构,允许通过简单的命令实现读取、写入、擦除等操作,并支持块/扇区保护功能以增强数据安全性。其工作电压范围一般为2.7V至3.6V,适用于3.3V系统电源环境,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。

参数

型号:28FLZT-SM1-TF(LF)(SN)
  制造商:富士通 / 赛普拉斯(Cypress)/ 英飞凌(Infineon)
  存储容量:256 Mbit (32MB)
  组织结构:按页和扇区划分
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  时钟频率:最高支持 104 MHz
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:8-pin SOIC(SM1)
  编程电压:内部电荷泵生成
  写保护功能:硬件WP引脚与软件写保护支持
  擦除方式:扇区擦除(4KB)、块擦除(32KB/64KB)
  写入使能机制:需先发送写使能指令
  掉电保护:具备上电复位与掉电检测电路
  可靠性:擦写寿命 ≥ 100,000 次
  数据保持时间:≥ 20 年
  无铅标识:(LF)
  包装形式:卷带(Tape and Reel, SN)

特性

该器件具备出色的性能与可靠性,其核心特性之一是支持高速SPI通信协议,兼容标准、双I/O和四I/O SPI模式,能够在单线输入输出基础上大幅提升数据吞吐率,尤其在四IO模式下可显著提高等效传输速率,满足对实时性要求较高的嵌入式系统需求。
  其次,28FLZT-SM1-TF(LF)(SN) 集成了灵活的保护机制,包括软件和硬件相结合的写保护功能,用户可通过WP引脚动态锁定特定地址区域,防止误写或误擦除,同时支持顶部或底部扇区保护配置,适应不同固件更新策略的需求。
  再者,该芯片内置高效的电源管理模块,具备多种低功耗模式,如深度省电模式(Deep Power-down Mode),在此模式下典型电流低于1μA,非常适合用于便携式设备或长期运行的物联网终端。
  另外,其耐久性和数据保持能力经过严格测试,在工业级温度范围内可保证至少10万次的编程/擦除循环,数据保存时间超过20年,确保关键信息长期稳定存储。
  最后,该器件遵循RoHS环保标准,采用无铅封装工艺,符合现代电子产品绿色环保的设计趋势,并且封装兼容性强,便于替代市场上主流的SPI NOR Flash产品,降低客户设计变更成本。

应用

广泛应用于需要大容量、高可靠性串行闪存的嵌入式系统中,例如工业自动化控制器中的程序存储与参数记录,网络通信设备如路由器、交换机中用于存放固件镜像和配置文件,车载信息娱乐系统中存储操作系统和多媒体资源,以及高端消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机等设备中作为主控MCU的外部代码存储器。
  此外,在物联网网关和边缘计算节点中,该芯片可用于缓存传感器数据、日志信息或OTA升级包,因其支持快速随机读取和小单位擦写操作,能够有效提升系统响应速度与运行效率。
  在医疗设备领域,由于其具备良好的数据完整性和长期稳定性,也被用于存储校准数据、患者历史记录和设备运行日志。
  同时,得益于其紧凑的8引脚SOIC封装和宽温工作能力,该器件也适用于空间受限且环境条件恶劣的户外监控摄像头、电力监控终端和远程遥测装置等场景。

替代型号

S25FL256SAGBNFI00
  MT25QL256ABA1EW7
  IS25LP256D-JBLE

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