时间：2025/9/2 5:58:03
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H5TQ2G83GFR-RDI 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器件，广泛应用于需要大容量内存和快速数据访问的设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有高可靠性和低功耗特性，适用于各种高性能计算和存储系统。
容量：2 Gb（256 MB x 8）
组织结构：x8
封装类型：FBGA
引脚数：54
电压：1.7V - 3.6V
温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步
工作频率：166 MHz
数据宽度：8位
H5TQ2G83GFR-RDI DRAM芯片具备多个显著特性，首先其高容量和高速度使其适用于需要大量内存和快速数据处理的应用场景。该芯片采用低功耗设计，能够在保证高性能的同时降低能耗，延长设备的使用寿命。此外，其FBGA封装形式提供了良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。
该芯片支持异步接口，使其能够与多种控制器和处理器兼容，提高了系统的灵活性和可扩展性。芯片的工作温度范围较宽，从-40°C到+85°C，能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
在可靠性方面，H5TQ2G83GFR-RDI通过严格的测试和验证，确保在长期运行中不会出现数据丢失或性能下降的问题。其高质量的制造工艺和材料也使其具备较长的使用寿命。
H5TQ2G83GFR-RDI芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车电子系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和智能电视）以及网络和通信设备等领域。在这些应用中，它能够提供高效的数据存储和访问能力，满足高性能和高可靠性的需求。
H5TQ2G83EFR-RDI, H5TQ2G83FFR-RDI, H5TQ2G83BFR-RDI
