H5TQ2G83FFR-PBI 时间：2025/9/2 3:16:30 阅读：9

H5TQ2G83FFR-PBI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储解决方案的一部分，通常用于高性能计算、图形处理和网络设备等领域。该芯片提供2GB的存储容量，并采用先进的封装和制造技术，以确保在高频率下的稳定运行。

参数

容量：2GB
　　电压：1.2V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：78球
　　频率：最高支持2666Mbps
　　工作温度：0°C至+85°C
　　数据宽度：x8
　　工艺制程：1x nm
　　

特性

H5TQ2G83FFR-PBI具备多项先进的技术特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，它采用低功耗设计（LPDRAM），支持在高速运行的同时降低能耗，适用于对功耗敏感的设备。其次，该芯片支持高频率操作，最高可达2666Mbps，从而实现快速的数据存取和传输，满足高性能系统的需求。
　　此外，H5TQ2G83FFR-PBI采用了先进的1x nm制造工艺，提高了存储密度，同时降低了成本，使得其在成本敏感的高性能应用中具有竞争力。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式不仅提高了封装密度，还增强了散热性能和电气性能，确保在高负载下仍能保持稳定运行。
　　该DRAM芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，延长电池寿命，适用于移动设备和嵌入式系统。同时，其内部时钟同步（Synchronous）操作支持精确的时序控制，有助于提高系统的整体稳定性和性能表现。

应用

H5TQ2G83FFR-PBI广泛应用于需要高带宽和低功耗的设备和系统中。常见的应用场景包括高端智能手机、平板电脑、游戏机、图形加速卡、工业控制设备以及网络交换设备。在移动设备中，该芯片能够提供快速的数据处理能力，同时保持较低的功耗，从而延长电池续航时间。在网络设备和服务器中，H5TQ2G83FFR-PBI可以提供足够的带宽和稳定性，支持高速数据传输和处理。此外，它也适用于嵌入式系统和高性能计算平台，满足对内存性能要求较高的应用需求。