RF8007ATR13是一款由Renesas Electronics设计的射频(RF)功率晶体管,适用于高频率和高功率应用。这款晶体管采用先进的硅双极工艺制造,具有高效能和高稳定性的特点,广泛用于无线通信设备、广播系统和工业应用中的射频功率放大器部分。
类型:射频功率晶体管
晶体管类型:NPN
频率范围:150 MHz - 500 MHz
最大输出功率:800 W(在225 MHz时)
增益:约14 dB
效率:约65%
封装类型:气密封金属封装
工作温度范围:-55°C至+150°C
电源电压:28 V(典型值)
输入阻抗:50Ω(标称值)
输出阻抗:50Ω(标称值)
RF8007ATR13具有优异的热稳定性和高可靠性,能够在高功率和高温环境下稳定运行。该器件的高增益特性使其在各种射频放大器设计中表现出色,尤其是在VHF和UHF频段的应用中。其气密封金属封装设计确保了良好的散热性能和机械强度,从而延长了产品的使用寿命。
此外,RF8007ATR13具备良好的线性度和低失真性能,适用于需要高质量信号传输的应用场景,例如广播发射机和专业通信设备。其设计还支持宽带操作,使得该晶体管在多种频率范围内都能保持稳定的工作性能,无需频繁调整电路参数。
为了确保最佳性能,RF8007ATR13在使用过程中需要适当的散热设计和匹配网络,以保证其在高功率状态下仍能保持较低的工作温度。
RF8007ATR13主要用于各种高功率射频系统中,如广播发射机、移动通信基站、无线基础设施设备、工业加热设备以及军事和航空航天领域的射频放大器模块。其高功率输出和宽频率范围使其成为多种专业射频应用的理想选择,尤其是在需要高可靠性和长寿命的系统中。此外,该器件也可用于测试设备和测量仪器中的射频功率放大环节。
BLF887A、MRF8912、RD100HHF1、CMRD8000A