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H5TQ2G63GFR-TECR 发布时间 时间:2025/9/2 2:20:37 查看 阅读:6

H5TQ2G63GFR-TECR 是一款由SK Hynix公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器,适用于需要大容量内存和快速数据访问的电子设备。这种类型的存储器广泛用于计算机、服务器、网络设备以及嵌入式系统中。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:2M x16
  电压:1.8V - 3.3V
  接口类型:并行
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54

特性

H5TQ2G63GFR-TECR是一款高性能的DRAM芯片,具有较大的存储容量和高速的数据访问能力。该芯片的电压范围较宽,可以在1.8V到3.3V之间工作,这使得它在不同类型的系统中都能灵活使用。此外,该芯片具有54引脚的TSOP封装,适合高密度的PCB布局。该芯片的工作温度范围为-40°C到+85°C,适用于各种工业级环境。H5TQ2G63GFR-TECR的并行接口设计提供了高速数据传输能力,使其适用于对性能要求较高的系统。此外,该芯片在设计上采用了低功耗技术,有助于降低设备的整体能耗。

应用

H5TQ2G63GFR-TECR主要用于需要大容量内存和高速数据访问的应用场景。常见的应用包括个人计算机、服务器、网络设备、工业控制系统以及嵌入式系统。其宽电压范围和工业级温度适应性,使其在各种复杂环境中都能稳定工作。

替代型号

H5TQ2G63AFA-TEC, H5TQ2G63GFR-TCR

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