时间：2025/9/2 5:19:47
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H5TQ2G63DFR-11CR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器产品系列。该芯片采用了先进的制造工艺和高性能架构，适用于需要快速数据存取的应用场景。H5TQ2G63DFR-11CR 是一款容量为256MB、位宽为x16的DRAM芯片，采用FBGA封装形式，适合嵌入式系统和工业设备使用。
容量：256MB
位宽：x16
封装类型：FBGA
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
存取时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TQ2G63DFR-11CR 采用高性能DRAM架构，提供了快速的数据存取能力，适用于需要高速内存支持的应用场景。其x16位宽设计允许同时传输更多的数据，提高了整体数据吞吐量。
该芯片的FBGA封装技术提供了更小的物理尺寸和更好的散热性能，适用于空间受限的设计环境。此外，H5TQ2G63DFR-11CR 的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在不同的电源环境下稳定工作，增强了其适应性。
这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在低功耗状态下保持数据完整性，适合电池供电设备使用。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在严苛的工业环境中稳定运行。
H5TQ2G63DFR-11CR 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品中。其高性能和低功耗特性使其成为需要快速数据存取和稳定运行的应用场景的理想选择。
在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储器使用，为处理器提供高速数据存储和访问能力。在网络设备和通信设备中，H5TQ2G63DFR-11CR 可用于缓存数据包和临时存储处理任务，提高系统响应速度。此外，该芯片还广泛应用于工业自动化设备，用于存储程序代码和运行时数据。
IS42S16400J-6T, MT48LC16M2A2B4-6A
