时间：2025/12/26 9:41:02
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ZXRE252ASA-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高性能电源管理应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于负载开关、电池供电设备中的电源控制以及DC-DC转换等场景。其SOT-23（SC-70）小型封装使其非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端设备。ZXRE252ASA-7在栅极驱动电压方面兼容低电压逻辑信号，支持3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外电平转换电路，从而简化系统设计并降低整体成本。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力与可靠的静电放电（ESD）保护特性，提升了系统在瞬态条件下的稳定性与安全性。得益于其优化的工艺结构，ZXRE252ASA-7能够在较小的封装尺寸内实现较高的电流承载能力，并有效减少功率损耗，提高能效表现。
型号：ZXRE252ASA-7
类型：P沟道增强型MOSFET
封装/包：SOT-23 (SC-70)
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大连续漏极电流(ID)：-1.8A
最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
最大栅源电压(VGS)：±12V
导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：35mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：50mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=-1.8V：85mΩ
阈值电压(Vth)：-0.65V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：95pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
输出电容(Coss)：55pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
反向传输电容(Crss)：10pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
栅极电荷(Qg)：2.3nC @ VGS = -4.5V
开启延迟时间(td_on)：4ns
关断延迟时间(td_off)：8ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(θJA)：350°C/W
热阻结到外壳(θJC)：150°C/W
ZXRE252ASA-7采用先进的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与快速的开关响应，显著降低了导通损耗和开关损耗，特别适合用于高效率电源管理系统中。该器件在VGS=-4.5V条件下RDS(on)仅为35mΩ，在更低的驱动电压如-2.5V下仍能保持50mΩ的低阻状态，表明其对低压逻辑信号具有出色的响应能力，适用于现代低功耗微处理器或SoC直接控制的应用场景。由于其P沟道结构，常被用作高边开关，在电源路径管理中实现上管控制，避免了复杂的自举电路需求，简化了PCB布局与设计复杂度。
该MOSFET的阈值电压典型值约为-0.8V，确保在未施加栅极信号时器件处于可靠关断状态，防止误开通导致的短路风险。同时，其输入电容仅为95pF，配合仅2.3nC的总栅极电荷，使得驱动所需的动态功耗非常低，有利于提升系统的整体能效，尤其是在频繁启停或PWM调制工作的负载开关应用中表现出色。此外，器件具备良好的电容匹配性和稳定的跨导特性，有助于实现精确的电流调节与良好的噪声抑制能力。
ZXRE252ASA-7的工作结温可达+150°C，具备优异的热稳定性和长期可靠性，可在严苛环境温度下稳定运行。其SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化的引线框架设计和内部连接工艺，保证了足够的散热能力和机械强度。该器件还通过了JEDEC标准的可靠性认证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）及温度循环测试，确保在消费类、工业级应用场景中的耐用性。内置的栅氧层经过强化处理，提供高达±2kV HBM的ESD保护能力，增强了生产装配过程中的抗静电损伤能力。
ZXRE252ASA-7广泛应用于需要高效、紧凑电源开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源路径的通断以实现节能待机模式；也可作为USB接口或其他外设端口的负载开关，防止过流或短路故障影响主系统供电。在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流或辅助电源轨的开关控制，尤其适合低电压输入（如1.8V至5V）系统。此外，它也适用于LED背光驱动电路中的开关元件、电机驱动模块中的电平切换开关，以及各种需要P沟道高边配置的数字控制开关场合。在工业传感器节点、智能仪表和无线通信模块中，ZXRE252ASA-7凭借其小尺寸和低静态功耗特性，成为实现电源域隔离与按需供电的理想选择。
ZXMP252ASA-7
DMG252SAK-7
AOZ6252AI
