DSDI35-06A 时间：2025/8/5 16:18:51 阅读：30

DSDI35-06A是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用和电源管理系统。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：35A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V：5.5mΩ（最大）；@2.5V：7.5mΩ（最大）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

DSDI35-06A具备多项优良特性，使其适用于各种高性能电源应用。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关条件下减少开关损耗。
　　此外，DSDI35-06A具备良好的热稳定性，采用TO-252封装形式，具有较高的散热能力，适用于紧凑型电源设计。其栅极设计支持逻辑电平驱动，可与常见的控制器和驱动IC兼容。
　　器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，并具备较强的抗雪崩能力和过载耐受能力。这些特性使DSDI35-06A在电源转换、电池管理系统、负载开关以及电机控制等应用中表现出色。

应用

DSDI35-06A广泛应用于多个电力电子领域，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块、电机驱动器以及工业自动化设备。其高效的导通性能和良好的热管理能力使其在高功率密度设计中尤为受欢迎。
　　在DC-DC转换器中，DSDI35-06A用于高边和低边开关，提供高效的电压转换能力。在电池管理系统中，它用于电池充放电控制和保护电路。作为负载开关，该MOSFET可用于快速切断电源路径，以提高系统能效和安全性。
　　此外，该器件也适用于电源适配器、服务器电源、通信设备电源模块以及电动车控制系统等应用场景。