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H5TQ1G83EFR-PBI 发布时间 时间:2025/9/2 1:21:56 查看 阅读:21

H5TQ1G83EFR-PBI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器采用FBGA封装,尺寸小巧,适用于对空间要求较高的嵌入式系统和便携式电子设备。它是一款低功耗、高性能的DRAM芯片,专为移动设备和消费类电子产品设计。

参数

容量:1Gb(128MB)
  类型:DRAM
  组织架构:x8
  工作电压:1.5V/1.35V(低电压版本)
  封装类型:FBGA
  引脚数:54-pin
  数据速率:最高可达800Mbps/pin
  温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)

特性

H5TQ1G83EFR-PBI 是一款基于LPDDR2标准的DRAM芯片,具备出色的性能和能效。其低功耗设计使其非常适合用于智能手机、平板电脑和嵌入式系统等需要电池供电的设备。
  该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、预充电掉电模式和自刷新模式,有助于降低整体系统功耗,延长电池续航时间。
  此外,H5TQ1G83EFR-PBI 还具有较高的数据传输速率,可达到800Mbps/pin,确保了快速的数据访问和处理能力,满足现代高性能嵌入式应用的需求。
  其采用54-pin FBGA封装,封装尺寸小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用,非常适合空间受限的应用场景。
  这款DRAM芯片还支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在较为恶劣的环境条件下稳定工作,提升了设备的可靠性和适应性。

应用

H5TQ1G83EFR-PBI 主要应用于移动设备,如智能手机和平板电脑,以及各类嵌入式系统,包括工业控制设备、车载信息娱乐系统、物联网设备和消费类电子产品。
  由于其低功耗、高性能和小尺寸的特点,该芯片特别适合用于需要高效能内存解决方案的便携式设备。
  在工业应用中,它可以为嵌入式处理器系统提供快速、稳定的内存支持,适用于自动化控制系统、数据采集设备和智能终端等场景。
  此外,该芯片也适用于需要较高数据吞吐能力的多媒体设备,如视频播放器、图像处理模块和高性能人机界面(HMI)设备。

替代型号

H5TQ1G83EFR-H9C, H5TQ2G83EFR-PBC, H5TQ1G83BFR-PBI, H5TQ1G83EFR-PBC

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