时间：2025/9/1 14:18:42
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H5ANAG6NAMR-PBC 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高性能、低功耗DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4X系列。该芯片专为移动设备和高带宽需求的应用设计，具备较高的数据传输速率和能效表现，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等场景。H5ANAG6NAMR-PBC 采用BGA（球栅阵列）封装，支持多段并发操作，从而提升整体性能。
容量：8Gb（1GB）
架构：x16
电压：1.1V / 0.6V
时钟频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
封装类型：BGA
封装尺寸：9.5mm x 13.5mm
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口：LPDDR4X
H5ANAG6NAMR-PBC 作为LPDDR4X系列的代表产品，其核心优势在于低功耗与高性能的结合。该芯片采用1.1V核心电压和0.6V I/O电压设计，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。
在性能方面，该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，并支持多段并发（Multi-bank Group）操作，允许在不同存储段之间并行执行命令，从而提高数据吞吐量。此外，H5ANAG6NAMR-PBC 支持预取机制、刷新控制、温度补偿自刷新（TCASR）等功能，有助于维持数据完整性并优化功耗管理。
封装方面，该芯片采用紧凑型BGA封装（9.5mm x 13.5mm），适合高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于各种严苛环境下的应用，包括车载电子和工业控制系统。
H5ANAG6NAMR-PBC 主要应用于需要高带宽内存支持的移动设备，如高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低功耗特性也使其成为嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及边缘计算设备的理想选择。此外，该芯片也可用于消费类电子产品中的图像处理、AI加速模块和多媒体应用，提供稳定且高效的内存支持。
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"H5ANAG8NAMR-PBC",
"H5AN8G8NAMR-PBC",
"H9HKNN8CUMMDAR"
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