H5ANAG6NAMR-PBC 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能、低功耗DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR4X系列。该芯片专为移动设备和高带宽需求的应用设计,具备较高的数据传输速率和能效表现,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等场景。H5ANAG6NAMR-PBC 采用BGA(球栅阵列)封装,支持多段并发操作,从而提升整体性能。
容量:8Gb(1GB)
架构:x16
电压:1.1V / 0.6V
时钟频率:1600MHz
数据速率:3200Mbps
封装类型:BGA
封装尺寸:9.5mm x 13.5mm
工作温度:-40°C 至 +85°C
接口:LPDDR4X
H5ANAG6NAMR-PBC 作为LPDDR4X系列的代表产品,其核心优势在于低功耗与高性能的结合。该芯片采用1.1V核心电压和0.6V I/O电压设计,显著降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。
在性能方面,该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率,并支持多段并发(Multi-bank Group)操作,允许在不同存储段之间并行执行命令,从而提高数据吞吐量。此外,H5ANAG6NAMR-PBC 支持预取机制、刷新控制、温度补偿自刷新(TCASR)等功能,有助于维持数据完整性并优化功耗管理。
封装方面,该芯片采用紧凑型BGA封装(9.5mm x 13.5mm),适合高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种严苛环境下的应用,包括车载电子和工业控制系统。
H5ANAG6NAMR-PBC 主要应用于需要高带宽内存支持的移动设备,如高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低功耗特性也使其成为嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及边缘计算设备的理想选择。此外,该芯片也可用于消费类电子产品中的图像处理、AI加速模块和多媒体应用,提供稳定且高效的内存支持。
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"H5ANAG8NAMR-PBC",
"H5AN8G8NAMR-PBC",
"H9HKNN8CUMMDAR"
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