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H5ANAG6NAMR-PBC 发布时间 时间:2025/9/1 14:18:42 查看 阅读:9

H5ANAG6NAMR-PBC 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能、低功耗DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR4X系列。该芯片专为移动设备和高带宽需求的应用设计,具备较高的数据传输速率和能效表现,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等场景。H5ANAG6NAMR-PBC 采用BGA(球栅阵列)封装,支持多段并发操作,从而提升整体性能。

参数

容量:8Gb(1GB)
  架构:x16
  电压:1.1V / 0.6V
  时钟频率:1600MHz
  数据速率:3200Mbps
  封装类型:BGA
  封装尺寸:9.5mm x 13.5mm
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  接口:LPDDR4X

特性

H5ANAG6NAMR-PBC 作为LPDDR4X系列的代表产品,其核心优势在于低功耗与高性能的结合。该芯片采用1.1V核心电压和0.6V I/O电压设计,显著降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。
  在性能方面,该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率,并支持多段并发(Multi-bank Group)操作,允许在不同存储段之间并行执行命令,从而提高数据吞吐量。此外,H5ANAG6NAMR-PBC 支持预取机制、刷新控制、温度补偿自刷新(TCASR)等功能,有助于维持数据完整性并优化功耗管理。
  封装方面,该芯片采用紧凑型BGA封装(9.5mm x 13.5mm),适合高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种严苛环境下的应用,包括车载电子和工业控制系统。

应用

H5ANAG6NAMR-PBC 主要应用于需要高带宽内存支持的移动设备,如高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低功耗特性也使其成为嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及边缘计算设备的理想选择。此外,该芯片也可用于消费类电子产品中的图像处理、AI加速模块和多媒体应用,提供稳定且高效的内存支持。

替代型号

[
   "H5ANAG8NAMR-PBC",
   "H5AN8G8NAMR-PBC",
   "H9HKNN8CUMMDAR"
  ]

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