时间：2025/7/26 5:02:36
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EX128-FTQ100 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性存储器（NVM）芯片，属于 MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）类别。这款芯片的存储容量为 128 Kbit，采用 100 引脚 TQFP 封装（Thin Quad Flat Package），适用于对数据保存可靠性和存储速度有高要求的应用场景。EX128-FTQ100 具备高速读写能力、无限次写入寿命以及断电后数据不丢失的特性，是替代传统 SRAM 或 EEPROM 的理想选择。
容量：128 Kbit
接口类型：异步SRAM接口
电源电压：2.3V - 3.6V
封装类型：100-TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大访问时间：55 ns
最大写入周期时间：100 ns
数据保存时间：超过20年（无电源）
读写寿命：无限次
功耗：典型值 10 mA（待机模式 < 1 μA）
EX128-FTQ100 MRAM 芯片具有多项显著的技术优势。首先，它采用非易失性存储技术，无需电池或电容即可在断电后长期保存数据，可靠性高且维护成本低。其次，该芯片具备类似于 SRAM 的高速读写性能，访问时间低至 55 ns，写入周期时间仅为 100 ns，非常适合需要快速响应的应用。此外，EX128-FTQ100 拥有无限次写入寿命，解决了传统闪存（Flash）和 EEPROM 的写入次数限制问题，从而延长了系统的使用寿命。
该芯片的功耗表现也非常优异，正常工作电流仅为 10 mA，而在待机模式下电流可低于 1 μA，有助于降低整体功耗，适用于电池供电设备和嵌入式系统。其工作温度范围宽广（-40°C 至 +85°C），适用于工业和汽车等严苛环境下的应用。封装方面，100-TQFP 形式便于 PCB 设计和集成，提升了设计灵活性。
EX128-FTQ100 还具备抗辐射和抗干扰能力，适合在高可靠性应用场景中使用，如航空航天、军工设备等。由于其 MRAM 技术本质上具有数据保持能力，无需刷新机制，因此比传统 DRAM 更加稳定可靠。
EX128-FTQ100 主要应用于对数据保存可靠性、存储速度和系统稳定性有高要求的场景。例如，在工业控制系统中，可用于保存关键参数和状态信息，确保在突发断电情况下数据不丢失；在汽车电子系统中，可用于记录故障代码和运行数据，满足 ISO 16845 等汽车标准要求；在医疗设备中，可确保病人数据的实时保存与调用；在通信设备和网络路由器中，可作为高速缓存使用，提升系统响应速度。此外，该芯片还广泛应用于智能电表、POS 终端、安防设备以及航空航天和军工设备等高可靠性领域。
MR128A-DSR100、EX128-FTG100、MR128B-DSR100、ISSI 的 IS61WV12816BLL
