H5TQ1G63EFR-PBI 时间：2025/9/1 23:45:48 阅读：25

H5TQ1G63EFR-PBI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式低功耗DRAM（LPDRAM）类别。该芯片专为移动设备和便携式电子产品设计，具有高容量、低功耗和紧凑封装的特点，适用于智能手机、平板电脑和其他需要高效能内存的嵌入式系统。

参数

类型：DRAM
　　子类型：LPDDR2 SDRAM
　　容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.2V~1.7V（核心电压）
　　I/O电压：1.2V~1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：98-TFBGA
　　时钟频率：最高可达200MHz
　　数据速率：400Mbps
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口标准：符合JEDEC LPDDR2标准

特性

H5TQ1G63EFR-PBI 是一款专为低功耗应用设计的LPDDR2内存芯片。其采用先进的DRAM技术，能够在保持高性能的同时显著降低功耗，适合对电池寿命有高要求的设备。该芯片支持多种功耗管理模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power Down）等，从而进一步延长设备的使用时间。
　　此外，该芯片具备较高的数据传输速率，支持高达400Mbps的I/O速率，确保了在高负载应用中数据的快速存取。其紧凑的FBGA封装形式（98-TFBGA）使其非常适合空间受限的便携式设备设计。
　　芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，可在严苛的环境条件下稳定运行。其电压范围为1.2V至1.7V的核心电压和1.2V至1.8V的I/O电压，提供了良好的兼容性和灵活性，适用于多种电源管理方案。