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20NF06 发布时间 时间:2025/7/22 6:15:03 查看 阅读:6

20NF06 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。其设计优化了导通电阻(Rds(on))和开关性能,以提高效率和可靠性。20NF06 采用 TO-220 封装,适合需要中高功率处理能力的电路。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流 (Id):20A
  最大漏源电压 (Vds):60V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  导通电阻 (Rds(on)):最大 0.043Ω @ Vgs=10V
  功率耗散 (Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

20NF06 的主要特性是其低导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流下功率损耗显著减少,从而提高整体效率。
  该 MOSFET 具有较高的热稳定性,能够承受较大的功率耗散,适用于高功率密度设计。
  此外,20NF06 采用了先进的工艺技术,具有良好的开关性能,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。
  其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4V 至 10V),使其能够与多种驱动电路兼容,同时确保器件在不同工作条件下的稳定性。
  该器件的封装设计(TO-220)有助于良好的散热,适用于需要较高功率处理能力的工业和消费类电子产品。

应用

20NF06 常用于各种功率电子系统中,包括电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。
  由于其低导通电阻和良好的热性能,它非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用,如服务器电源、UPS(不间断电源)、工业自动化设备和消费类电子产品。
  此外,该 MOSFET 也可用于汽车电子系统,例如电动助力转向系统(EPS)和车载充电器,以满足汽车工业对高效率和高可靠性的需求。

替代型号

IRFZ44N, FDPF047N06, STP16NF06, FQP20N06L

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