时间：2025/5/10 11:23:01
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XPC860DPZP50D4是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优势。其封装形式为表面贴装类型，适合大规模自动化生产，同时具备优良的电气特性和可靠性。
型号：XPC860DPZP50D4
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗(Pd)：225W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装：TO-263-3L（表面贴装）
XPC860DPZP50D4具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效降低功率损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用场合，减少开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，有助于降低开关噪声并提高系统稳定性。
4. 良好的热性能，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 支持大电流输出，适用于高负载需求的应用场景。
XPC860DPZP50D4广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动控制电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
4. 太阳能逆变器的关键开关元件。
5. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
6. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
7. 不间断电源(UPS)系统的功率处理部分。
XPC860DPZP40D4
XPC860DPZP60D4
IRF840
FDP5800
