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IS42S32400D-7BI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:49:03 查看 阅读:28

IS42S32400D-7BI-TR 是由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的32Mbit(4M x 8/2M x 16)动态随机存取存储器(DRAM),采用同步设计,适用于需要高速数据处理的应用。该器件采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,广泛应用于网络设备、通信设备、嵌入式系统及工业控制等领域。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:4M x 8/2M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚TSOP
  时钟频率:143MHz(-7B型号)
  访问时间:5.4ns
  数据输出使能(OE):低电平有效
  写使能(WE):低电平有效
  芯片使能(CE):低电平有效
  封装尺寸:54-TSOP

特性

IS42S32400D-7BI-TR 是一款高性能的同步DRAM芯片,其核心特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片支持异步和同步操作模式,使其能够适应多种应用环境。同步模式下,其时钟频率可达143MHz,数据访问时间仅为5.4ns,从而实现快速的数据读写操作。此外,该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电压兼容性,适合多种电源管理系统。
  该芯片采用CMOS工艺制造,降低了功耗并提高了稳定性。在待机模式下,电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。其54引脚TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了高频操作下的稳定性,适用于高密度PCB布局。IS42S32400D-7BI-TR 支持标准的异步SRAM接口,简化了与微处理器、控制器或FPGA的连接。

应用

IS42S32400D-7BI-TR 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场合。典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、通信设备(如基站和光模块)、嵌入式系统(如智能卡终端和工业控制设备)、视频处理模块、FPGA和DSP开发板等。其高速访问时间和低功耗特性使其成为对性能和能效有较高要求的工业和通信应用的理想选择。

替代型号

IS42S32400D-7TL-TR, CY7C1380D-5AAXI, IDT71V416S161BC6BGI

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IS42S32400D-7BI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体BGA-90
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流130 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500