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H5TQ1G63DFR-12C 发布时间 时间:2025/9/2 11:08:04 查看 阅读:17

H5TQ1G63DFR-12C 是由SK hynix公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。该型号属于H5T系列,是一款广泛应用于各类电子设备中的内存芯片。这款芯片的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),适用于需要高效内存解决方案的系统设计。

参数

容量:1Gbit(128MB)
  组织结构:x16位
  封装类型:TSOP
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54引脚
  数据速率:166MHz
  刷新周期:64ms
  接口类型:异步

特性

H5TQ1G63DFR-12C 芯片具有低功耗和高性能的特点,适合用于需要高效能内存的便携式设备和工业控制系统。该芯片的异步接口设计使得其在不同系统中具有良好的兼容性。此外,它支持自动刷新和自刷新模式,能够有效减少系统功耗,延长设备的使用时间。由于其高存储密度和紧凑的封装形式,这款芯片广泛用于需要较大内存容量但空间受限的应用场景,如嵌入式系统、通信设备和消费类电子产品。
  该芯片还具有良好的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的工作环境中保持正常运行。它的TSOP封装技术有助于提高散热性能,从而增强器件在高负载工作状态下的可靠性。H5TQ1G63DFR-12C 支持多种操作模式,包括页模式和突发模式,以满足不同应用对数据存取速度的需求。

应用

H5TQ1G63DFR-12C 主要应用于需要高性能DRAM存储的电子设备,如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品(如数码相机、游戏设备)以及网络设备等。该芯片适用于需要快速数据访问和较高存储密度的场景,同时也适合对功耗敏感的应用,如电池供电设备。

替代型号

H5TQ1G63DFR-12C 的替代型号包括 H5TQ1G63EFR-12C 和 H5TQ1G63DFR-13C。

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