时间：2025/4/27 19:13:34
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SLD65R380E7 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 STMicroelectronics 的 MDmesh? 技术制造。该器件具有低导通电阻和高雪崩能力，适用于多种开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器应用。
该功率 MOSFET 属于 DPAK 封装，支持大电流操作，并且在高温环境下仍能保持良好的性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大连续漏极电流(Id)：2.9A
导通电阻(Rds(on))：380mΩ (典型值，在 Vgs=10V 下)
栅极电荷(Qg)：15nC (典型值)
总功耗(Ptot)：42W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DPAK (TO-252)
SLD65R380E7 提供了多种优异的特性以满足不同应用需求：
1.电压系统设计。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高效率。
3. 采用了 MDmesh? 技术，具备出色的热性能和可靠性。
4. 较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
5. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性和抗冲击能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使 SLD65R380E7 成为工业及消费电子领域中高效功率转换的理想选择。
SLD65R380E7 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 离线式电源适配器
- 工业用开关电源
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：
- 降压和升压电路
- 同步整流
3. 电机驱动：
- 家用电器中的小型电机控制
- 电动车窗和其他汽车辅助设备
4. 其他应用：
- 汽车电子系统中的负载切换
- LED 照明驱动电路
由于其高电压能力和低导通电阻，这款 MOSFET 在需要高效功率管理的场合表现出色。
STP65NF7,
IRF650,
FDP150N65SBD
