容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：16位数据总线宽度（x16）
　　电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　刷新周期：64ms
　　

H5TQ1G63DFB DRAM芯片具有多种优异特性，确保其在复杂环境下的稳定运行。首先，其1Gb的存储容量可以满足大多数嵌入式系统和便携式设备的内存需求。16位的数据总线宽度提高了数据传输效率，使得系统能够快速读写数据。
　　其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在不同的电源环境下都能稳定工作，适用于多种电源设计架构。这对于需要多电压操作或低功耗设计的设备尤为重要。
　　再者，H5TQ1G63DFB采用了FBGA封装技术，这种封装方式不仅体积小巧，而且具有良好的热性能和电气性能，能够有效降低信号干扰并提高散热效率。54-ball FBGA的封装形式也有助于提高PCB布局的灵活性。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其具备较强的环境适应能力，适用于工业级应用环境。此外，64ms的刷新周期保证了数据在断电前能够被有效保存，同时不会对系统性能造成过大负担。
　　最后，H5TQ1G63DFB的访问时间最大为5.4ns，这意味着它能够支持高速数据存取操作，适用于需要快速响应的实时系统。

H5TQ1G63DFB广泛应用于需要大容量内存和高速数据处理的嵌入式系统和工业设备中。常见的应用包括网络设备、工业控制主板、智能卡终端、车载电子系统、手持式测量仪器、消费类电子产品（如平板电脑、智能电视等）以及各种类型的嵌入式处理器系统。由于其高密度存储能力和工业级工作温度范围，H5TQ1G63DFB也非常适合用于工业自动化、通信基础设施和安防监控系统等领域。

H5TQ1G63EFR、H5TQ1G63FMR、H5TQ1G63GFR、H5TQ1G63HFR