类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏极电流：800A
　　最大漏-源电压：100V
　　导通电阻(Rds(on))：5mΩ
　　封装类型：双D2PAK（7引脚）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　栅极电荷(Qg)：240nC
　　功耗(Pd)：400W
　　封装尺寸：约19.7mm x 14.0mm x 4.5mm

MTE8D5N10RE3 MOSFET模块具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该模块采用先进的封装技术，确保了良好的热传导性能，能够有效散热，从而延长器件寿命并提升稳定性。
　　此外，MTE8D5N10RE3 支持高电流承载能力，适用于需要高功率密度的应用场景。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使得该模块在高频开关应用中表现出色。模块的封装设计符合RoHS标准，适用于自动化装配流程，提高了生产效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路保护性能，能够在极端工况下保持稳定运行。其宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和可再生能源系统等领域。

MTE8D5N10RE3 MOSFET模块广泛应用于多种高功率电子产品中。在工业领域，它可用于直流电机驱动器、伺服电机控制器和高功率电源模块。在汽车电子领域，该模块适用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）的电池管理系统、车载充电器以及DC-DC转换器。
　　此外，MTE8D5N10RE3 也常见于太阳能逆变器系统，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。在不间断电源（UPS）系统中，该模块可以提供高效的电力转换和稳定的输出电压。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，MTE8D5N10RE3 还适用于电动工具、焊接设备和电能质量调节设备等应用场景。

Siemens SIE888N10RE3, STMicroelectronics STY8D5N10RE3, Infineon BTS8D5N10RE3