时间：2025/8/6 1:22:20
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IXSN35N120AU3是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高电压应用。该器件采用了先进的硅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和高击穿电压的特点，适用于工业电源、电动车辆（EV）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电机驱动和开关电源（SMPS）等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：35A
最大漏源电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V~6.5V
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-247AC
IXSN35N120AU3具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（1200V VDS）使其能够在高电压系统中稳定运行，同时具备出色的热稳定性和可靠性。其次，该MOSFET的导通电阻较低，仅为0.12Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式为TO-247AC，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该器件还具有较高的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。IXSN35N120AU3的内部结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量耐受能力，增强了其在极端工作条件下的稳定性。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
IXSN35N120AU3广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电系统、电机控制和驱动器、开关电源（SMPS）以及高频感应加热设备。由于其具备高电压和高电流能力，该MOSFET在需要高效能和高可靠性的设计中表现出色，特别适合用于需要长时间运行和高负载条件下的应用环境。
IXFH32N120P3, IXFK35N120, FCP120N6S2FM
