容量：8GB
　　电压：1.2V
　　接口类型：FBGA
　　封装尺寸：13-15mm x 12.5mm
　　工作温度范围：0°C 至 85°C
　　数据速率：3200Mbps
　　内存类型：GDDR6 SDRAM
　　封装类型：FBGA（细间距球栅阵列）
　　时钟频率：1600MHz
　　

H5TC8G83MMR 芯片具备多项先进的特性，使其在高性能计算领域中表现出色。首先，该芯片采用了GDDR6 SDRAM技术，提供了高达3200Mbps的数据传输速率，能够显著提升系统的内存带宽，从而增强整体性能。此外，该芯片的工作电压为1.2V，相比前代产品降低了功耗，提高了能效。
　　这款内存芯片的封装尺寸为13-15mm x 12.5mm，采用了FBGA（细间距球栅阵列）封装技术，这不仅提高了芯片的稳定性和可靠性，还使得芯片在高频率工作时具有更低的信号干扰。H5TC8G83MMR 还支持自动刷新和自刷新功能，能够在不牺牲性能的情况下延长数据保持时间，减少系统功耗。

H5TC8G83MMR 主要应用于高性能计算设备，如图形处理单元（GPU）、游戏主机、工作站和服务器等领域。由于其高带宽和低延迟的特性，该芯片在图形渲染、人工智能计算、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等需要大量数据处理的应用中表现尤为出色。
　　在游戏主机领域，H5TC8G83MMR 可以显著提升游戏的加载速度和图形质量，提供更流畅的游戏体验。对于工作站和服务器而言，这款内存芯片可以有效提升数据处理能力，缩短任务执行时间，提高整体系统效率。此外，由于其低功耗特性，H5TC8G83MMR 也适用于移动设备和嵌入式系统，帮助设备在有限的电力资源下实现更长的续航时间。

H5TC8G83MMR 的替代型号包括美光科技（Micron）的 GDDR6 内存芯片，如 MT61K256M16A264A2-10 版本，以及三星电子（Samsung）的 GDDR6 内存产品，如 K4ZAF325BM-HC16。