存储类型：DRAM
　　存储容量：8 Gbit
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　数据速率：1600 Mbps
　　电压：1.35V / 1.5V（根据工作模式）
　　接口类型：x8 / x16
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5TC8G83MMR-H9A具备多项先进的技术特性，包括低功耗设计、高速数据传输能力以及高存储密度。其采用的FBGA封装技术，使得芯片在有限的空间内实现更高的引脚密度，同时提升了信号完整性和热管理性能。该芯片支持多种工作模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，以满足不同应用场景下的功耗需求。此外，H5TC8G83MMR-H9A还具备强大的纠错能力和稳定性，确保在复杂的工作环境中也能提供可靠的数据存储服务。
　　该DRAM芯片还采用了先进的时钟同步技术，使得数据传输更加高效和稳定。其支持的自动刷新功能能够有效减少外部控制器的负担，提高系统的整体性能。同时，H5TC8G83MMR-H9A还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和系统架构无缝集成，为开发者提供了极大的灵活性。

H5TC8G83MMR-H9A广泛应用于各种高性能电子设备中，包括智能手机、平板电脑、服务器、网络路由器、工业控制设备以及嵌入式系统等。其高容量和低功耗特性使其特别适合用于移动设备和电池供电系统，能够在保证性能的同时延长设备的使用时间。此外，该芯片还可用于高性能计算设备和图形处理单元（GPU），为需要大量数据处理的应用提供强大的存储支持。

H5TC8G83MMR-H9C, H5TC8G83MMR-PBA, H5TC8G83MMR-416