时间：2025/6/16 18:34:57
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FN18N200G500PSG是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压应用场合。这种器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于开关电源、电机驱动、逆变器和各种工业控制领域。其设计优化了导通电阻与开关性能的平衡，能够在高频工作条件下保持高效运行。
该器件采用先进的制造工艺，在耐压能力、热稳定性以及抗干扰方面具有显著优势。它通常被用于需要高可靠性和高效率的电路中。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值）：60mΩ
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FN18N200G500PSG的主要特点是其高压能力，可以承受高达200V的漏源电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
该器件的开关速度较快，能够适应高频应用需求。其封装形式为TO-247，便于散热并适合大功率场景。
此外，该MOSFET还具有良好的热稳定性和电气特性，在高温环境下仍能保持高性能表现。内置保护功能使其在过流或短路情况下具备更高的可靠性。
总体而言，这款MOSFET非常适合于要求高效率、高可靠性的电力电子系统中。
FN18N200G500PSG广泛应用于多种高压电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 工业自动化控制
- 高频功率放大器
由于其出色的耐压能力和低导通电阻，这款MOSFET特别适用于需要高效能量转换和快速开关的应用环境。
IRFP250N
FDP18N20
STP18NF20
